دانش

ساختار لایه آرایه منفذی، روش پیش پوشش، روش تشکیل فیلم و دستگاه‌های مرتبط و عن...

عناصر اجرایی فنی: 3. تجسم‌های فناوری حاضر یک ساختار لایه آرایه سوراخ، یک روش پیش‌پوشش، یک روش تشکیل فیلم و یک دستگاه مرتبط را برای حل مشکل ناپایداری پ

مشاهده بیشتر

ساختار لایه آرایه سوراخ، روش پیش پوشش، روش تشکیل فیلم، و دستگاه ها و فرآیندها...

1. فن آوری حاضر متعلق به حوزه فنی تشخیص بیولوژیکی است و به ویژه به ساختار لایه آرایه سوراخ، روش پیش پوشش، روش تشکیل فیلم و دستگاه مرتبط مربوط می شود.

مشاهده بیشتر

یک سیستم نانوکامپوزیت و روشی برای تحقیق در مورد نانومواد، عناصر تحقق فنی

عناصر اجرایی فنی: 5. مشکل فنی که باید توسط اختراع حاضر حل شود عبارت است از: ارائه یک سیستم یکپارچه نانومتری و روشی برای تحقیق در مورد نانومواد که بتوا

مشاهده بیشتر

یک سیستم و روش نانوکامپوزیت برای تحقیق در مورد نانومواد

1. اختراع حاضر مربوط به حوزه تجهیزات تحقیقاتی علمی در سطح تحقیقات در علوم نانو و به ویژه در زمینه یک سیستم یکپارچه در مقیاس نانو و روشی برای تحقیق در

مشاهده بیشتر

ساختار بسته بندی، بستر، روش بسته بندی و عناصر اجرای فناوری فرآیند

عناصر اجرایی فنی: 3. فناوری حاضر ساختار بسته بندی، بستر و روش بسته بندی را فراهم می کند تا استرس بسته بندی ایجاد شده در فرآیند اتصال دستگاه mems را کا

مشاهده بیشتر

ساختار بسته بندی، بستر، روش و فرآیند بسته بندی

1. فن آوری حاضر به زمینه بسته بندی تراشه ها و به ویژه ساختارهای بسته بندی، بسترها و روش های بسته بندی مربوط می شود. تکنیک پیش زمینه: 2. بسته بندی در س

مشاهده بیشتر

یک میکرو صفحه داغ MEMS بر اساس فیلم دی الکتریک کامپوزیت جانبی و روش ساخت آن و...

عناصر اجرایی فنی: 4. با توجه به مشکلات فنی فوق، اختراع حاضر یک صفحه میکرو داغ mems بر اساس یک فیلم دی الکتریک کامپوزیت عرضی و روش ساخت آن ارائه می کند

مشاهده بیشتر

نوعی صفحه داغ میکرو MEMS بر اساس فیلم دی الکتریک کامپوزیت جانبی و روش ساخت آن

نوعی صفحه میکرو داغ MEMS بر اساس فیلم دی الکتریک کامپوزیت عرضی و زمینه فنی روش ساخت آن 1. اختراع حاضر مربوط به زمینه فنی مم ها به ویژه صفحه میکرو داغ

مشاهده بیشتر

عناصر تحقق فنی روش انتشار پس از CMOS برای ساختار حساس به پرتو متقاطع برای هید...

عناصر اجرایی فنی: 5. به منظور حل مشکل تکمیل رهاسازی سازه با فرض سازگاری با cmos با استفاده از فرآیند mems، اختراع حاضر روش رهاسازی post-cmos را برای س

مشاهده بیشتر

عناصر پیاده سازی فنی عناصر روش رهاسازی پس از CMOS برای سازه های حساس به تیرها...

عناصر اجرایی فنی: 5. به منظور حل مشکل تکمیل رهاسازی سازه با فرض سازگاری با cmos با استفاده از فرآیند mems، اختراع حاضر روش رهاسازی post-cmos را برای س

مشاهده بیشتر

ساختار حساس به پرتو متقاطع روش پس از انتشار CMOS برای هیدروفون بردار MEMS

روش انتشار CMOS پس از ساختار حساس پرتو متقاطع برای زمینه فنی هیدروفون بردار mems 1. اختراع حاضر مربوط به زمینه نیمه هادی ها، به ویژه حفاظت از دیواره ج

مشاهده بیشتر

روش های ساخت سیستم برای عملکرد دستگاه های میکروسیال

1. فن آوری حاضر به طور کلی مربوط به سیستم هایی است که از دستگاه های میکروسیال استفاده می کنند. فن آوری حاضر، از جمله، سیستم هایی را برای عملکرد دستگاه

مشاهده بیشتر